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飛行時(shí)間質(zhì)譜儀

  • 更新時(shí)間:  2024-03-04
  • 產(chǎn)品型號:  PHI nanoTOF II
  • 簡(jiǎn)單描述
  • PHI nanoTOF IITM飛行時(shí)間質(zhì)譜儀是第五代SIMS儀器,該儀器具有*的飛行時(shí)間(TOF)分析儀,它擁有市場(chǎng)上TOF-SIMS儀器中大的角度和能量接收范圍,它使用了具有優(yōu)良離子傳輸能力的三級聚焦半球形靜電分析器,實(shí)現了高空間分辨率和質(zhì)量分辨率。PHI nanoTOF IITM還具有很高的成像能力,可以表征形貌復雜的樣品而沒(méi)有陰影效應。
詳細介紹

?產(chǎn)品介紹

 

TRIFT-V nanoTOF II(三次聚集飛行時(shí)間)二次離子質(zhì)譜儀是超靈敏的表面分析技術(shù),可檢測表面分子成分和分布,元素及其同位素。所有元素和同位素,包括氫都可以用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析。由初級脈沖離子束轟擊樣品表面所產(chǎn)生的二次離子,經(jīng)飛行時(shí)間分析器分析二次離子的荷質(zhì)比,從而得知樣品表面信息。

 

PHI nanoTOF IITM飛行時(shí)間質(zhì)譜儀是第五代SIMS儀器,該儀器具有*的飛行時(shí)間(TOF)分析儀,它擁有市場(chǎng)上TOF-SIMS儀器中大的角度和能量接收范圍,它使用了具有優(yōu)良離子傳輸能力的三級聚焦半球形靜電分析器,實(shí)現了高空間分辨率和質(zhì)量分辨率。PHI nanoTOF IITM還具有很高的成像能力,可以表征形貌復雜的樣品而沒(méi)有陰影效應。

 

      

 

?飛行時(shí)間質(zhì)譜儀-特點(diǎn):

 

  1、立體收集角度大和深景深

  2、同時(shí)實(shí)現高空間及高能量分辨模式

  3、視野范圍小可至5微米

  4、低背景和亞穩抑制

  5、多種離子槍選配實(shí)現高精度深度剖析

  6、FIB-TOF三維深度分布成像

  7、串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS (有機高分子材料分析*附件)

  8、SmartSoftTM-TOF配合WinCadence軟件易于操作

  9、多樣化的樣品托

 

?nanoTOF II儀器規格:

 

Bi 作為一次離子源時(shí):

  1、低質(zhì)量數質(zhì)量分辨率(m/Δm):硅(28Si+和28SiH+)在12000以上

  2、高質(zhì)量數質(zhì)量分辨率(m/Δm):m/z > 200,在 16,000以上

  3、有機材料的質(zhì)量分辨率(m/Δm):PET(104 amu)在12000以上

  4、小離子束直徑:70納米(高空間分辨率模式)、0.5μm(高質(zhì)量分辨率模式)

 

?nanoTOF II選配

 

串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS、氬氣團簇離子槍、C60離子槍、銫離子槍、氬/氧離子濺射槍、樣品冷卻/加熱系統、樣品高溫加熱系統、真空轉移裝置、氧噴射系統、Zalar高速旋轉系統、聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)、前處理室、各種樣品托、離線(xiàn)數據處理系統、Static SIMS Library等。                                        


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